NOU SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1T 2T HG2283 més HYNIX V7

1/2

<< /span>

NOU SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1T 2T HG2283 més HYNIX V7

M.2 2280 S2 SSD NVME HG2283 més Hynix V7 1. ESPECIFICACIONS DEL PRODUCTE Capacitat − 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB − Admet el mode d'adreçament 32-bits Interfície elèctrica/física − Interfície PCIe − Compatibilitat amb NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 carrils i compatible enrere amb...

Enviar la consulta

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 més Hynix V7

1. ESPECIFICACIONS DEL PRODUCTE

Capacitat

− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB

− Admet el mode d'adreçament de 32-bits

Interfície elèctrica/física

− Interfície PCIe

− Complint amb NVMe 1.3

− PCIe Express Base Ver 3.1

− Carril PCIe Gen 3 x 4 i compatible amb PCIe Gen 2 i Gen 1

− Admet fins a QD 128 amb una profunditat de cua de fins a 64K

− Suport a la gestió de l'energia

Flash NAND compatible

− Admet fins a 16 activacions Flash Chip (CE) dins d'un únic disseny

− Admet fins a 4 unitats de flaix BGA132

− Admet 8-bit I/O NAND Flash

− Admet la interfície Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 i ONFI 4.0

Samsung V6 3D NAND

Hynix V7 3D NAND

Esquema ECC

− HG2283 PCIe SSD aplica l'algorisme LDPC d'ECC.

Suport a la mida del sector

− 512B

− 4KB

UART/ GPIO

Admet ordres SMART i TRIM

Gamma LBA

− Estàndard IDEMA

Rendiment

Rendiment de HG2283 més Hynix V7 (1200 Mbps)

Capacitat	Estructura de flaix (paquet BGA)	CE#	Tipus de flaix	Seqüencial (CDM)		IOMmetre
Capacitat	Estructura de flaix (paquet BGA)	CE#	Tipus de flaix	Llegir (MB/s)	Escriptura (MB/s)	Llegir (IOPS)	Escriptura (IOPS)
128 GB	DDP x 1	2	BGA132, Hynix V7	1650	1100	195K	260K
256 GB	DDP x 2	4	BGA132, Hynix V7	3100	1850	360K	450K
512 GB	QDP x 2	8	BGA132, Hynix V7	3100	2090	360K	475K
1024 GB	QDP x 4	16	BGA132, Hynix V7	3100	2200	360K	480K
2048 GB	ODP x 4	16	BGA132, Hynix V7	3100	2200	360K	480K

NOTES:

1. El rendiment es va basar en Hynix V7 TLC NAND flash.

CONSUM ENERGÈTIC

Capacitat	Configuració Flash (paquet BGA)		Consum energètic³
Capacitat	Configuració Flash (paquet BGA)	Lectura (mW)	Escriptura (mW)	PS3 (mW)	PS4 (mW)
128 GB	DDP x 1	2940	2530	50	5
256 GB	DDP x 2	4120	3400	50	5
512 GB	QDP x 2	4090	3390	50	5
1024 GB	QDP x 4	4050	3380	50	5
2048 GB	ODP x 4	4440	3810	50	5

NOTES:

1. Dades mesurades basant-se en Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.

2. El consum d'energia es mesura durant les operacions de lectura i escriptura seqüencials realitzades per IOMeter.

Gestió de flaix

1.4.1. Codi de correcció d'errors (ECC)

Les cel·les de memòria flaix es deterioraran amb l'ús, cosa que pot generar errors de bits aleatoris a les dades emmagatzemades. Així, l'HG2283 PCIe SSD aplica l'algoritme LDPC (Low Density Parity Check) de l'ECC, que pot detectar i corregir els errors que es produeixen durant el procés de lectura, garantir que les dades s'han llegit correctament i protegir les dades de la corrupció.

1.4.2. Anivellació de desgast

Els dispositius flash NAND només poden patir un nombre limitat de cicles de programa/esborrat, quan els mitjans flash no s'utilitzen de manera uniforme, alguns blocs s'actualitzen amb més freqüència que altres i la vida útil del dispositiu es reduiria significativament. Així, s'aplica l'anivellament del desgast per allargar la vida útil del flaix NAND distribuint uniformement els cicles d'escriptura i esborrat als mitjans.

HosinGlobal proporciona un algorisme avançat d'anivellament del desgast, que pot distribuir de manera eficient l'ús del flaix per tota l'àrea de mitjans flash. A més, mitjançant la implementació d'algoritmes d'anivellament de desgast dinàmics i estàtics, es millora molt l'esperança de vida del flaix NAND.

1.4.3. Mala gestió de blocs

Els blocs dolents són blocs que no funcionen correctament o contenen més bits no vàlids, cosa que fa que les dades emmagatzemades siguin inestables, i la seva fiabilitat no està garantida. Els blocs identificats i marcats com a dolents pel fabricant s'anomenen "Early Bad Blocks". Els blocs dolents que es desenvolupen durant la vida útil del flaix s'anomenen "Blocs dolents posteriors". HosinGlobal implementa un algorisme eficient de gestió de blocs defectuosos per detectar els blocs defectuosos produïts a la fàbrica i gestiona els blocs defectuosos que apareixen amb l'ús. Aquesta pràctica evita que les dades s'emmagatzemin en blocs defectuosos i millora encara més la fiabilitat de les dades.

1.4.4. TRIM

TRIM és una característica que ajuda a millorar el rendiment de lectura/escriptura i la velocitat de les unitats d'estat sòlid (SSD). A diferència dels discs durs (HDD), els SSD no poden sobreescriure les dades existents, de manera que l'espai disponible es redueix gradualment amb cada ús. Amb l'ordre TRIM, el sistema operatiu pot informar l'SSD perquè els blocs de dades que ja no s'utilitzen es puguin eliminar permanentment. Així, el SSD realitzarà l'acció d'esborrar, que evita que les dades no utilitzades ocupin blocs en tot moment.

1.4.5. INTELLIGENT

SMART, acrònim de Tecnologia d'autocontrol, anàlisi i informes, és un estàndard obert que permet que una unitat d'estat sòlid detecti automàticament el seu estat i informi de possibles errors. Quan SMART registra una fallada, els usuaris poden optar per substituir la unitat per evitar interrupcions inesperades o pèrdua de dades. A més, SMART pot informar els usuaris de fallades imminents mentre encara hi ha temps per dur a terme accions proactives, com ara desar dades en un altre dispositiu.

1.4.6. Sobreprovisió

L'aprovisionament excessiu es refereix a la preservació d'una àrea addicional més enllà de la capacitat de l'usuari en un SSD, que no és visible per als usuaris i no poden utilitzar-los. Tanmateix, permet que un controlador SSD utilitzi espai addicional per obtenir un millor rendiment i WAF. Amb Over Provisioning, el rendiment i les IOPS (operacions d'entrada/sortida per segon) es milloren proporcionant al controlador espai addicional per gestionar els cicles P/E, cosa que també millora la fiabilitat i la resistència. A més, l'amplificació d'escriptura de l'SSD es torna més baixa quan el

el controlador escriu dades al flaix.

1.4.7. Actualització del firmware

El firmware es pot considerar com un conjunt d'instruccions sobre com es comunica el dispositiu amb l'amfitrió. El microprogramari es podrà actualitzar quan s'afegeixin noves funcions, es solucionin els problemes de compatibilitat o es millori el rendiment de lectura/escriptura.

1.4.8. Ajustament tèrmic

L'objectiu de l'acceleració tèrmica és evitar que qualsevol component d'un SSD s'escalfi durant les operacions de lectura i escriptura. HG2283 està dissenyat amb un sensor tèrmic en matriu i amb la seva precisió; El microprogramari pot aplicar diferents nivells d'acceleració per assolir el propòsit de protecció de manera eficient i proactiva mitjançant la lectura SMART.

1.5. Funcions avançades de seguretat del dispositiu

1.5.1. Esborrat segur

Secure Erase és una ordre de format NVMe estàndard i escriurà totes les "0x{00" per esborrar completament totes les dades dels discs durs i SSD. Quan s'emet aquesta ordre, el controlador SSD esborrarà els seus blocs d'emmagatzematge i tornarà a la configuració predeterminada de fàbrica.

1.5.2. Esborrat de criptografia

Crypto Erase és una funció que esborra totes les dades d'un SSD activat per OPAL o d'una unitat "SED" (Security-Enabled Disk) mitjançant la restabliment de la clau criptogràfica del disc. Com que es modifica la clau, les dades prèviament xifrades es tornaran inútils, aconseguint la finalitat de seguretat de les dades.

1.5.3. SID de presència física (PSID)

El SID de presència física (PSID) el defineix TCG OPAL com una 32-cadena de caràcters i l'objectiu és tornar a la configuració de fabricació de l'SSD quan la unitat encara està activada per OPAL. El codi PSID es pot imprimir en una etiqueta SSD quan un SSD activat per OPAL admet la funció de inversió PSID.

1.6. Gestió de tota la vida SSD

1.6.1. Terabytes escrits (TBW)

TBW (Terabytes Written) és una mesura de la vida útil esperada dels SSD, que representa la quantitat de dades

escrit al dispositiu. Per calcular el TBW d'un SSD, s'aplica l'equació següent:

TBW = [(NAND Resistència) x (Capacitat SSD)] / [WAF]

NAND Resistència: La resistència NAND es refereix al cicle P/E (Programa/Esborrat) d'un flaix NAND.

Capacitat SSD: La capacitat SSD és la capacitat específica en total d'un SSD.

WAF: El factor d'amplificació d'escriptura (WAF) és un valor numèric que representa la relació entre la quantitat de dades que un controlador SSD necessita escriure i la quantitat de dades que escriu el controlador flash de l'amfitrió. Un millor WAF, que és proper a 1, garanteix una millor resistència i una menor freqüència de dades escrites a la memòria flash.

TBW d'aquest document es basa en la càrrega de treball JEDEC 218/219.

1.6.2. Indicador de desgast dels mitjans

L'indicador de vida real informat per l'índex de bytes d'atribut SMART [5], percentatge utilitzat, recomana a l'usuari que substitueixi la unitat quan arribi al 100 per cent.

1.6.3. Mode de només lectura (final de la vida útil)

Quan la unitat envelleix per cicles de programa/esborrat acumulats, el desgast del suport pot provocar un nombre creixent de blocs defectuosos posteriors. Quan el nombre de blocs útils utilitzables cau fora d'un rang utilitzable definit, la unitat notificarà a l'amfitrió mitjançant l'esdeveniment AER i l'avís crític perquè entri en el mode de només lectura per evitar que es produeixin més corrupcions de dades. L'usuari hauria de començar a substituir la unitat per una altra immediatament.

1.7. Enfocament adaptatiu de l'ajust del rendiment

1.7.1. Rendiment

En funció de l'espai disponible del disc, HG2283 regularà la velocitat de lectura/escriptura i gestionarà el rendiment del rendiment. Quan encara quedi molt espai, el microprogramari realitzarà contínuament una acció de lectura/escriptura. Encara no cal implementar la recollida d'escombraries per assignar i alliberar memòria, la qual cosa accelerarà el processament de lectura/escriptura per millorar el rendiment. Al contrari, quan l'espai s'esgotarà, HG2283 alentirà el processament de lectura/escriptura i implementarà la recollida d'escombraries per alliberar memòria. Per tant, el rendiment de lectura/escriptura serà més lent.

1.7.2. Predir i buscar

Normalment, quan l'amfitrió intenta llegir dades del SSD PCIe, el SSD PCIe només realitzarà una acció de lectura després de rebre una ordre. Tanmateix, HG2283 aplica Predict & Fetch per millorar la velocitat de lectura. Quan l'amfitrió emet ordres de lectura seqüencials al SSD PCIe, el SSD PCIe esperarà automàticament que les següents també siguin ordres de lectura. Així, abans de rebre la següent comanda, Flash ja ha preparat les dades. En conseqüència, això accelera el temps de processament de dades i l'amfitrió no necessita esperar tant per rebre dades.

1.7.3. SLC Caching

Actualment, el disseny del microprogramari de l'HG2283 adopta la memòria cau dinàmica per oferir un millor rendiment per a una millor resistència i experiència d'usuari del consumidor.

3. ESPECIFICACIONS AMBIENTALS

3.1. Condicions ambientals 3.1.1. Temperatura i humitat

Taula 3-1 Temperatura alta

	Temperatura	Humitat
Funcionament	70 graus	0 per cent d'HR
Emmagatzematge	85 graus	0 per cent d'HR

Taula 3-2 Temperatura baixa

	Temperatura	Humitat
Funcionament	0 grau	0 per cent d'HR
Emmagatzematge	-40 grau	0 per cent d'HR

Taula 3-3 Humitat alta

	Temperatura	Humitat
Funcionament	40 graus	90 per cent d'HR
Emmagatzematge	40 graus	93 per cent d'HR

Taula 3-4 Cicle de temperatura

	Temperatura
Funcionament	0 grau
Funcionament	70 graus¹
Emmagatzematge	-40 grau
Emmagatzematge	85 graus

Notes:

1. La temperatura de funcionament es mesura per la temperatura de la caixa, en la qual es pot decidir mitjançant el flux d'aire SMART es suggereix i permetrà que el dispositiu funcioni a la temperatura adequada per a cada component durant l'entorn de càrregues de treball pesades.

3.1.2. Xoc

Taula 3-5 Xoc

	Força d'acceleració
No operatiu	1500G

3.1.3. Vibració

Taula 3-6 Vibració

	Cond	ició
	Freqüència/Desplaçament	Freqüència/acceleració
No operatiu	20Hz~80Hz/1,52 mm	80Hz~2000Hz/20G

3.1.4. Tirar

Taula 3-7 Drop

		Alçada de caiguda		Nombre de caiguda
No operatiu		Caiguda lliure de 80 cm		6 cares de cada unitat
3.1.5. Doblar		Taula 3-8 Flexió
		Força		Acció
No operatiu		Major o igual a 20N		Mantingueu premut 1 min/5 vegades
3.1.6. Parell motor		Taula 3-9 Parell
		Força		Acció
No operatiu		0.5N-m o ±2,5 graus		Mantingueu premut 1 min/5 vegades
3.1.7. Descàrrega electrostàtica (ESD)		Taula 3-10 ESD
Especificació			més /- 4KV
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 i IEC 61000-4-2	Les funcions del dispositiu es veuen afectades, però EUT tornarà al seu estat normal o operatiu automàticament.

4. ESPECIFICACIONS ELÈCTRIQUES

4.1. Tensió d'alimentació

Taula 4-1 Tensió d'alimentació

Paràmetre	Valoració
Tensió de funcionament	Mínim=3,14 V Màxim=3,47 V
Temps de pujada (màx./min)	10 ms/0,1 ms
Temps de caiguda (màx./min)	1500 ms / 1 ms
Min. Temps de baixa¹	1500 ms

NOTA:

1. Temps mínim entre la retirada de l'alimentació de l'SSD (Vcc < 100 mV) i la reaplicació de l'alimentació a la unitat.

4.2. Consum energètic

Taula 4-2 Consum d'energia en mW

Capacitat	Configuració Flash	CE#	Lectura (màx.)	Escriure (màx.)	Llegeix (mitjana)	Escriure (mitjana)
128 GB	DDP x 1	2	3200	2930	2940	2530
256 GB	DDP x 2	4	4650	4560	4120	3400
512 GB	QDP x 2	8	5260	4190	4090	3390
1024 GB	QDP x 4	16	5350	6070	4050	3380
2048 GB	ODP x 4	16	6320	6650	4440	3810

NOTES:

Basat en la sèrie APF1Mxxx a temperatura ambient.

El valor mitjà del consum d'energia s'aconsegueix en funció d'una eficiència de conversió del 100%.

La tensió d'alimentació mesurada és de 3,3 V.

La temperatura d'un dispositiu d'emmagatzematge a PS1 hauria de romandre constant o hauria de disminuir lleugerament per a totes les càrregues de treball, de manera que la potència real a PS1 hauria de ser inferior a PS0.

La temperatura d'un dispositiu d'emmagatzematge a PS2 hauria de disminuir bruscament per a totes les càrregues de treball, de manera que la potència real a PS2 hauria de ser inferior a la PS1.

5. INTERFÀCIES

5.1. Assignació de pins i descripcions

La taula {{0}} defineix l'assignació del senyal del connector NGFF intern per a l'ús de SSD, descrita a l'especificació PCI Express M.2 versió 1.0 del PCI-SIG.

Taula 5-1 Assignació de pins i descripció de HG2283 M.2 2280

Pin núm.	Pin PCIe	Descripció
1	GND	CONFIG_3=GND
2	3.3V	Font de 3,3 V
3	GND	Terra
4	3.3V	Font de 3,3 V
5	PETn3	PCIe TX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
6	N/C	Sense connexió
7	PETp3	PCIe TX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
8	N/C	Sense connexió
9	GND	Terra
10	LED1#	Desguàs obert, senyal baix actiu. Aquests senyals s'utilitzen per permetre que la targeta complementària proporcioni indicadors d'estat mitjançant dispositius LED que proporcionarà el sistema.
11	PERn3	PCIe RX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
12	3.3V	Font de 3,3 V
13	PERp3	PCIe RX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
14	3.3V	Font de 3,3 V
15	GND	Terra
16	3.3V	Font de 3,3 V
17	PETn2	PCIe TX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
18	3.3V	Font de 3,3 V
19	PETp2	PCIe TX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
20	N/C	Sense connexió
21	GND	Terra
22	N/C	Sense connexió
23	PERn2	PCIe RX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
24	N/C	Sense connexió
25	PERp2	PCIe RX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
26	N/C	Sense connexió
27	GND	Terra
28	N/C	Sense connexió
29	PETn1	PCIe TX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
30	N/C	Sense connexió
31	PETp1	PCIe TX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
32	GND	Terra
33	GND	Terra
34	N/C	Sense connexió
35	PERn1	PCIe RX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
36	N/C	Sense connexió
37	PERp1	PCIe RX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2

Pin núm.	Pin PCIe	Descripció
38 N/C		Sense connexió
39 GND		Terra
40 SMB_CLK (E/S) (0/1,8 V)		Rellotge SMBus; Desguàs obert amb pull-up a la plataforma
41	PETn0	PCIe TX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
42	SMB{{0}}DADES (E/S) (0/1,8 V)	Dades SMBus; Desguàs obert amb pull-up a la plataforma.
43	PETp0	PCIe TX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
44	ALERTA#(O) (0/1,8 V)	Notificació d'alerta al mestre; Desguàs obert amb pull-up a la plataforma; Activa baixa.
45	GND	Terra
46	N/C	Sense connexió
47	PERn0	PCIe RX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
48	N/C	Sense connexió
49	PERp0	PCIe RX Senyal diferencial definit per l'especificació PCI Express M.2
50	PREST#(I)(0/3,3 V)	PE-Reset és un restabliment funcional de la targeta tal com es defineix per l'especificació PCIe Mini CEM.
51	GND	Terra
52	CLKREQ#(I/O)(0/3,3 V)	Clock Request és un senyal de sol·licitud de rellotge de referència tal com el defineix l'especificació PCIe Mini CEM; També utilitzat pels subestats L1 PM.
53	REFCLKn	Senyals de rellotge de referència PCIe (100 MHz) definits per l'especificació PCI Express M.2.
54	PEWAKE#(E/S)(0/3,3 V)	PCIe PME Vigília. Desguàs obert amb tirada a la plataforma; Baixa activa.
55	REFCLKp	Senyals de rellotge de referència PCIe (100 MHz) definits per l'especificació PCI Express M.2.
56	Reservat per a DADES MFG	Línia de dades de fabricació. S'utilitza només per a la fabricació de SSD. No s'utilitza en funcionament normal. Els pins s'han de deixar N/C al sòcol de la plataforma.
57	GND	Terra
58	Reservat per a MFG CLOCK	Línia de rellotge de fabricació. S'utilitza només per a la fabricació de SSD. No s'utilitza en funcionament normal. Els pins s'han de deixar N/C al sòcol de la plataforma.
59	Mòdul clau M	Clau del mòdul
60	Mòdul clau M
61	Mòdul clau M
62	Mòdul clau M
63	Mòdul clau M
64	Mòdul clau M
65	Mòdul clau M
66	Mòdul clau M
67	N/C	Sense connexió
68	SUSCLK (32KHz) (I)(0/3.3V)	Entrada de subministrament de rellotge de 32,768 kHz que proporciona el chipset de la plataforma per reduir la potència i el cost del mòdul.
69	NC	CONFIG_1=Sense connexió
70	3.3V	Font de 3,3 V
71	GND	Terra
72	3.3V	Font de 3,3 V
73	GND	Terra
74	3.3V	Font de 3,3 V
75	GND	CONFIG_2=Terra

7. DIMENSIÓ FÍSICA

Factor de forma: M.2 2280 S2

Dimensions: 80,00mm (L) x 22,00 mm (A) x 2,15 mm (Al)

Veure la direcció	Diagrama
Superior
A baix
Veure la direcció	Diagrama
lateral

product-759-182

Figura 7-1 Diagrama mecànic i dimensions del producte

8. NOTES D'APLICACIÓ

8.1. Precaucions de manipulació d'embalatges a escala de xip a nivell d'hòstia (WLCSP).

Hi ha molts components muntats en un únic dispositiu SSD. Si us plau, manipuleu la unitat amb cura, especialment quan tingui components WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) com ara PMIC, sensor tèrmic o interruptor de càrrega. WLCSP és una de les tecnologies d'embalatge que s'adopta àmpliament per fer petjades més petites, però qualsevol cop o rascada pot danyar aquestes peces ultrapetites, per la qual cosa es recomana una manipulació suau.

NO DEIXEU SSD

INSTAL·LEU SSD AMB CURA

ESTRIGA SSD EN UN PAQUET APROPIAT

8.2. M Key M.2 SSD Precaucions de muntatge

M Key M.2 SSD (figura 1) només és compatible amb el sòcol M Key (figura 2). Tal com es mostra al cas d'ús 2, un mal ús pot causar danys greus a l'SSD, inclòs l'esgotament.

Figura 8-1 M Key M.2 Precaucions de muntatge

product-1007-439

Etiquetes populars: NOU SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1T 2T HG2283 més HYNIX V7, Xina NOU SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1T 2T HG2283 més HYNIX V7