MÒDUL DRAM

Trobada el 2008, la nostra empresa del grup ha estat a l'àrea de memòria flash OEM gairebé 15 anys, mòdul DRAM OEM, SSD OEM, UNIDAD FLASH USB OEM, TARGETA TF OEM, com a proveïdor professional de memòria flash OEM, ens hem concentrat a oferir servei als principals clients de marques. , principals comerciants i distribuïdors del país. Per donar suport millor als comerciants i als distribuïdors del país, tenim productes preparats regularment tant a Hong Kong com a Shenzhen, venem més d'1 milió de peces cada mes.

Enviar la consulta

Admetem principalment DDR3, DDR4 per a clients que també fan negocis amb SSD, per a clients de marca o fàbriques d'ordinadors, també tenim LPDDR que ara només admet els principals clients de telèfons mòbils i iPad de Xina Inland i alguns clients de rellotges intel·ligents. Amb el seu alt rendiment i menor consum, és bo per a dispositius intel·ligents de mida petita.

Paràmetre tècnic Dram/LPDDR:

CATEGORIA DEL PRODUCTE	ESPECIFICACIÓ / TARIFA DE DADES MÀXIMA	DENSITAT	PAQUET	FUNCIONAMENT TEMPERATURA
DRAM	DRAM D3	2 Gb/4 Gb	Pilota FBGA 96	25 graus ~ 85 graus
DRAM	DRAM D4	4 Gb/8 Gb	Pilota FBGA 96
Mòdul DRAM	U-DIMM	4 GB / 8 GB / 16 GB / 32 GB	/	0 grau - 85 grau
	SO-DIMM
	R-DIMM	8 GB/16 GB/32 GB	/	0 grau - 85 grau
LPDDR	LP DDR4	2 GB / 3 GB / 4 GB / 6 GB / 8 GB	200 bola	0 grau - 70 grau

Especificacions:

Núm. de model del producte	Especificació	Densitat	Dimensió	paquet
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	8 GB X8/X16 1,2 V*2666/2933/3200 Mbps	8 GB	7,5 x 13,3 mm (W x L)	78 Pilota/96 Pilota
DRAM U-DIMM /SOD-IMM	16 GB X8/X16 1,2 V*2666/2933/3200 Mbps	16 GB	10,3 x 11 mm (W x L)	78 Pilota/96 Pilota
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	32 GB X8/X16 1,2 V*2666/2933/3200 Mbps	32 GB	10,3 x 11 mm (W x L)	78 Pilota/96 Pilota

Mòdul disponible:

Part número 1)	Densitat	Organització	Composició dels components	Nombre de Classificació	Alçada
UDIMM de 4 GB	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	31,25 mm
UDIMM de 8 GB	8 GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	31,25 mm
UDIMM de 16 GB	16 GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	31,25 mm
SODIMM de 4 GB	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	30 mm
SODIMM de 8 GB	8 GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	30 mm
SODIMM de 16 GB	16 GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	30 mm

NOTA:

1) (2133 Mbps 15-15-15) / (2400 Mbps 17-17-17) / (2666 Mbps 19-19-19) / (3200 Mbps 22-22-22) / (3200 Mbps 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200 Mbps 16-18-18) és compatible enrere amb una freqüència més baixa.

CARACTERÍSTIQUES CLAU

Velocitat	DDR4-2133	DDR4-2400	DDR4-2666	DDR4-3200	DDR4-3200	DDR4-3200	Unitat
Velocitat	15-15-15	17-17-17	19-19-19	22-22-22	19-19-19	16-18-18	Unitat
tCK(min)	0.938	0.833	0.75	0.625	0.625	0.625	ns
Latència CAS	15	17	19	22	19	16	nCK
tRCD(min)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	ns
tRP(min)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	ns
tRAS(min)	33	32	32	32.5	30.0	22.5	ns
tRC(min)	47.06	46.16	46.25	46.25	41.875	33.75	ns

●Font d'alimentació estàndard JEDEC 1,2 V ± 0.06 V

●V_DDQ= 1.2V ± 0.06 V

●1067MHz f_CKper a 2133 Mb/s/pin, 1200 MHz f_CKper a 2400Mb/seg/pin 1333MHz fCK per a 2666Mb/seg/pin, 1600MHz fCK per a 3200Mb/seg/pin

●16 bancs (4 grups bancaris)

●Latència CAS programable: 10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22

●Latència additiva programable (cas publicat): rellotge 0, CL - 2 o CL - 1

●Latència d'escriptura CAS programable (CWL)=11, 14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR{4-2400) i 14,18 (DDR{4- 2666) • Durada de la ràfega : 8, 4 amb tCCD=4 que no permet la lectura ni l'escriptura sense problemes [sobre la marxa amb A12 o MRS]

●Estroboscopi de dades diferencial bidireccional

●En la terminació de matriu utilitzant el pin ODT

●Període mitjà d'actualització 7,8 us a menys que TCASE 85C, 3,9 us a 85C < TCASE  95C

●Reinicialització asíncron

DIAGRAMA DE BLOCS DE FUNCIONS per a:

Mòdul de 4 GB, 512 M x 64 (poblat com a rang 1 de SDRAM x16DDR4)

NOTA :

1) Tret que s'indiqui el contrari, els valors de la resistència són 150Ω 5 per cent.

2) Les resistències ZQ són 2400Ω 1 per cent. Per a la resta de valors de resistències, consulteu el diagrama de cablejat adequat.

Mòdul de 8 GB, 1 Gx64 (poblat com a 1 rang de SDRAM x 8DDR4)

Etiquetes populars: dram mòdul, a l'engròs, preu, a granel, OEM